ШИРИНА ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ НАНОКРИСТАЛЛОВ NISI2 СОЗДАННЫХ В ПРИПОВЕРХНОСТНОЙ ОБЛАСТИ SI, ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДАМИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ

Abstract

В работе имплантацией ионов Ni+ а Si в сочетании с отжигом в приповерхностном слое Si на глубине 15-25 nm получены нанокристаллические фазы и слои NiSi2 . при D=8*1016 см-3 формировалась наноплёночная гетероструктура типа Si/NiSi2/Si. Вперые оценены ширины запрешенных зон нанокристаллических фаз и слоев NiSi2 , созданных в приповерхностной области Si.