РАССЕЯНИЯ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА С ОПТИЧЕСКИМИ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ КОЛЕБАНИЯМИ РЕШЕТОК
Main Article Content
Abstract
Расcчитаны температурные зависимости времени релаксации импульса и подвижности носителей тока в полупроводниках с простой зоной при учете рассеяния носителей тока а пьезоэлектрических колебаниях подрешеток элементарной ячейки кристалла.
Article Details
Section
Articles